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J-GLOBAL ID：201802226274456908   整理番号：18A0132614

硫化なしの硫黄誘起された二成分ターゲットを用いて作製したRFマグネトロンスパッタリングにより作製したCZTS吸収層薄膜の研究【Powered by NICT】

Investigations of RF magnetron sputtered CZTS absorber layer thin films prepared using sulfur induced binary targets without sulfurization

著者 (7件)： Balaji G. (Center for Surface Science, Department of Physics, PSG College of Technology, Coimbatore, India) ,  Balasundaraprabhu R. (Center for Surface Science, Department of Physics, PSG College of Technology, Coimbatore, India) ,  Prasanna S. (Center for Surface Science, Department of Physics, PSG College of Technology, Coimbatore, India) ,  Prasanna S. (Department of Physics, University of Idaho, ID, USA) ,  Prabavathy N. (Center for Surface Science, Department of Physics, PSG College of Technology, Coimbatore, India) ,  McIlroy D.N. (Department of Physics, Physical Sciences II, Oklahoma State University, Stillwater, OK, USA) ,  Kannan M.D. (Center for Surface Science, Department of Physics, PSG College of Technology, Coimbatore, India)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 75  ページ： 56-60  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四元半導体,銅亜鉛スズ硫化物(CZTS)薄膜を300°CでRFマグネトロンスパッタリングによる二成分硫黄系スパッタリングターゲット-硫化銅(CuS),硫化亜鉛(ZnS),硫化スズ(SnS)を用いて清浄化したソーダ石灰ガラス基板上に堆積した。ZnS/CuS/SnSの積層順序を用いて,CZTS薄膜を堆積した。CZTS薄膜の組成をX線光電子分光法(XPS)を用いて確認し,個々の元素の原子比を定量的に推定した。X線回折(XRD)研究は,CZTS相形成を理解するために用いた,<112>方向に沿ったCZTSケステライト相の存在は,SnSとZnSの二次相を検出した。XRDの結果は,Ramanの結果を用いて検証したCZTSとSnSの存在を確認した。CZTS薄膜の光学的性質をUV-Vis-NIR分光光度計を用いて研究した光学バンドギャップは1.46eVであったが,干渉と光学バンドギャップのような他の光学パラメータを確認し,結果を議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 銅 ,  X線光電子分光法 ,  光学ギャップ ,  硫化亜鉛 ,  X線光電子スペクトル ,  *薄膜 ,  *硫黄 ,  スズ ,  亜鉛 ,  半導体 ,  光学的性質 ,  ソーダ石灰ガラス ,  X線回折
準シソーラス用語： 硫化スズ ,  *CZTS ,  *RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CZTS ,  吸収体層 ,  薄膜太陽電池 ,  薄膜 ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (4件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (11件)： 硫化 ,  硫黄 ,  誘起 ,  二成分 ,  ターゲット ,  作製 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  CZTS ,  吸収層 ,  薄膜 ,  研究