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J-GLOBAL ID：201802226293164474   整理番号：18A2149243

窒化ニッケル半導体は,熱化学蒸着

Nickel nitride semiconductor was synthesized by thermal chemical vapor deposition

著者 (4件)： MORIOKA R. (National Inst. Technol., Matsue Coll., Shimane, JPN) ,  ICHIKAWA K. (National Inst. Technol., Matsue Coll., Shimane, JPN) ,  AKAMATSU H. (Kobe City Coll. Technol., Hyogo, JPN) ,  OHSHIMA T. (National Inst. Technol., Sasebo Coll., Nagasaki, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 40th  ページ： 179-180  発行年： 2018年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化物 ,  *ニッケル化合物 ,  *化合物半導体 ,  *熱CVD ,  X線回折 ,  バンドギャップ ,  吸光分光分析 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  整流 ,  Schottky障壁ダイオード ,  電流電圧特性 ,  反応時間 ,  紫外可視分光光度法 ,  *ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： 熱化学蒸着

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化 ,  ニッケル ,  熱化学蒸着