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J-GLOBAL ID：201802226651802677   整理番号：18A1137641

トップダウン成長シリコンナノワイヤのシンクロトロン研究【JST・京大機械翻訳】

Synchrotron studies of top-down grown silicon nanowires

著者 (7件)： Turishchev S.Yu. (Voronezh State University, 394018, Universitetskaya pl.1, Voronezh, Russia) ,  Parinova E.V. (Voronezh State University, 394018, Universitetskaya pl.1, Voronezh, Russia) ,  Nesterov D.N. (Voronezh State University, 394018, Universitetskaya pl.1, Voronezh, Russia) ,  Koyuda D.A. (Voronezh State University, 394018, Universitetskaya pl.1, Voronezh, Russia) ,  Sivakov V. (Leibniz Institute of Photonic Technology, 07745, Albert-Einstein-Str. 9, Jena, Germany) ,  Schleusener A. (Leibniz Institute of Photonic Technology, 07745, Albert-Einstein-Str. 9, Jena, Germany) ,  Terekhov V.A. (Voronezh State University, 394018, Universitetskaya pl.1, Voronezh, Russia)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 9  ページ： 1494-1496  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる抵抗を持つシリコン基板上の金属支援湿式化学アプローチにより得られたトップダウン成長シリコンナノワイヤの形態を走査電子顕微鏡により研究した。小型成長Siナノワイヤの得られたアレイは,Wisconsin-Madison大学のSRCストレージリングの高強度シンクロトロン放射の利用で行ったX線吸収端構造技術による高分解能電子構造研究のための主題であった。異なる酸化速度は,70nmを超えない高度に発達した表面と表面近傍層の特異性を囲むシリコン原子の研究によって見出された。ワイヤアレイ表面形態の柔軟性とその組成を実証し,必要な表面酸化速度をスムーズに形成し,Siナノワイヤを広い範囲の更なる機能化のための有用なマトリックスとして用いることができることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高分解能 ,  形態 ,  走査電子顕微鏡 ,  シンクロトロン放射 ,  柔軟性 ,  ケイ素 ,  電子構造 ,  *ナノワイヤ ,  *シンクロトロン
準シソーラス用語： 表面酸化 ,  表面形態 ,  特異性 ,  酸化速度 ,  *シリコンナノワイヤ ,  *トップダウン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ケイ素ナノワイヤ ,  走査電子顕微鏡 ,  シンクロトロン放射 ,  X線吸収端構造 ,  組成

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： トップダウン ,  成長 ,  シリコンナノワイヤ ,  シンクロトロン ,  研究