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J-GLOBAL ID:201802226665060130   整理番号:18A0330967

濡れ層を持つ不純物をドープしたドーム型量子ドットにおける非対称Starkシフト【Powered by NICT】

Asymmetric Stark shift in an impurity doped dome-shaped quantum dot with wetting layer
著者 (3件):
資料名:
巻: 483-484  ページ: 132-139  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0167B  ISSN: 0301-0104  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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濡れ層と結合したドーム構造型InAs/GaAs量子ドットの電子的性質に及ぼす垂直電場およびドナー不純物の影響を調べた。電子密度,エネルギーとStarkシフトS の,印加電場にWL状態P及びの依存性は,不純物がある場合とない場合の研究した。S-およびP-状態は電場の増加とともに波動関数の形状の顕著な定性的変化を持たず,場作用および量子閉込め間の競争のために僅かにシフトになった。WL状態の波動関数は,極性構造と大きく修飾された。著者らの結果は,電子エネルギーのStarkシフトは,電場への二次依存性,双極子モーメントに対応する線形と二次項と静的電子分極率を適合させることができることを明らかにした。それらの推定値は計算したものと一致した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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物理化学一般その他 

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