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J-GLOBAL ID：201802226799970314   整理番号：18A0969027

c軸に向けたm面GaNミスカット上の金属リッチ条件下でのMBE成長中のAlGaN合金の運動論的不安定性【JST・京大機械翻訳】

Kinetic instability of AlGaN alloys during MBE growth under metal-rich conditions on m-plane GaN miscut towards the -c axis

著者 (8件)： Shirazi-HD M. (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Diaz R. E. (Birck Nanotechnology Center, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Nguyen T. (Department of Physics and Astronomy, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Jian J. (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Gardner G. C. (Birck Nanotechnology Center, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Wang H. (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Manfra M. J. (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Malis O. (Department of Physics and Astronomy, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 16  ページ： 161581-161581-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c軸に向かうm面GaNミスカット上のプラズマ支援分子線エピタクシーにより金属リッチ条件下で成長させたAl組成が0.6以上のAl_xGa_1-xN層(0.6<x<0.9)は速度論的に不安定である。過剰のGaフラックス下でも,AlGaNの実効成長速度は大幅に減少し,Ga-N二量体の取り込みの抑制によるものと考えられる。これらの成長条件で発生した欠陥構造を,エネルギー分散X線分光法走査透過型電子顕微鏡を用いてAlフラックスの関数として研究した。AlGaN成長により,Al組成が期待され,Al組成の低いAlGaN島よりも高いAl組成をもつ薄いAl(Ga)N層が形成された。AlGaN島は平坦なトップを持ち,c軸に沿って伸びている。観察された実験結果の可能な機構を考察した。著者らのデータは,Al-N二量体がm面表面からGa-N二量体の放出を促進するモデルと一致する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー分散X線分光分析 ,  *合金 ,  *アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  プラズマ ,  二量体 ,  *MBE成長 ,  *ガリウム ,  成長速度 ,  速度論
準シソーラス用語： 欠陥構造 ,  成長条件 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *ミスカット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： C軸 ,  GaN ,  ミスカット ,  MBE成長 ,  AlGaN ,  合金 ,  運動論的不安定性