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J-GLOBAL ID：201802226893716572   整理番号：18A0813949

抵抗センサ応用のためのZnO薄膜の電気抵抗異方性の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning electrical resistivity anisotropy of ZnO thin films for resistive sensor applications

著者 (5件)： Ferreira Armando (Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, Portugal) ,  Martin Nicolas (Institut FEMTO-ST, UMR 6174 CNRS, Universite Bourgogne Franche-Comte, 15B Avenue des Montboucons, 25030 Besancon Cedex, France) ,  Lanceros-Mendez Senentxu (BCMaterials, Parque Cientifico y Tecnologico de Bizkaia, 48160 Derio, Spain) ,  Lanceros-Mendez Senentxu (IKERBASQUE, Basque Foundation for Science, 48013 Bilbao, Spain) ,  Vaz Filipe (Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, Portugal)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 654  ページ： 93-99  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,酸化亜鉛(ZnO)薄膜の調製と特性化について報告し,異なる調製条件の関数としての異方性電気抵抗挙動の進展を調べた。結果は,作動ガス流中の酸素含有量を増加させることにより,電気抵抗率が約2.4×10~-2Ωcm(かなり伝導性の材料で一般的)からMΩcmのオーダーで増加することを示した。これは半導体からほぼ絶縁型まで変化する材料の典型的なものである。薄膜の構造挙動に関しては,3つの異なる領域内で膜を調製するとき,優先成長の比較的明確な発展が明らかになった。X線回折(XRD)パターンは,支配的で非常に強いZnO(002)とZnO(101)回折ピークの存在により確認された多結晶六方晶様構造の発達を明らかにした。調製条件の変化により優先成長の変化が認められた。室温(RT)から200°Cまでの試料のアニーリングとRTまでの冷却により,xxとyy方向に沿った抵抗率値間の差が顕著になり,膜の異方性の明確な符号となった。膜のアニーリングサイクルの間に得られた異方性は0.98から1.10に増加し,その結果,抵抗,TCRの温度係数は,xxとyy方向の両方で,TCR_xxとyy9.0×10-4からTCR_xx=6.82×10-3とTCR_yy=5.97×10~-3°C-1に増加した。重要なことは,膜の結晶粒サイズの増加が効果的な異方性において顕著な効果を持つことを示し,考慮すべき主要な因子であることを明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 六方晶系 ,  X線回折 ,  温度係数 ,  半導体 ,  キャラクタリゼーション ,  酸化亜鉛 ,  結晶粒径 ,  電気抵抗率 ,  *センサ ,  多結晶 ,  *薄膜 ,  焼なまし ,  マグネトロンスパッタリング ,  *異方性
準シソーラス用語： 酸素含有量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化亜鉛 ,  マグネトロンスパッタリング ,  電気的性質 ,  抵抗センサ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応用 ,  ZnO薄膜 ,  電気抵抗 ,  異方性