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J-GLOBAL ID：201802226943729481   整理番号：18A0860715

GaN高電子移動度トランジスタにおける異常ゲート漏れ劣化の基礎機構に関する包括的研究【JST・京大機械翻訳】

Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN high electron mobility transistors

著者 (5件)： Mukherjee K. (IMS Laboratory, University of Bordeaux, Talence, France) ,  Darracq F. (IMS Laboratory, University of Bordeaux, Talence, France) ,  Curutchet A. (IMS Laboratory, University of Bordeaux, Talence, France) ,  Malbert N. (IMS Laboratory, University of Bordeaux, Talence, France) ,  Labat N. (IMS Laboratory, University of Bordeaux, Talence, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRPS  ページ： 4B.4-1-4B.4-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高温動作寿命(HTOL)または高温逆バイアス(HTRB)エージング試験後のSchottkyゲートGaN HEMTのDC順方向ゲート特性において観測された非典型的寄生効果を支配する基本的機構を調べた。この効果の長期的影響と変動性を確認するためにDC測定を行った。詳細なTCADシミュレーション研究は,著者らの知識に対して初めて,AlGaN障壁を横切るトラップ支援トンネリングと結合したゲートのドレイン端近くのドナー状態誘起表面漏れの結果としてこの異常を再現した。提案された仮説は,物理的シミュレーションから引き出された推論による実験的観察を確証し,エージング過程の間のゲート電流の予測不可能な発展を解釈する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  シミュレーション ,  ドナー ,  予測 ,  *HEMT ,  トンネル効果 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： ゲート電流 ,  劣化過程 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  TCAD ,  寄生効果 ,  GaN HEMT ,  逆バイアス ,  高温動作 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  ゲート ,  基礎 ,  研究