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J-GLOBAL ID：201802227073776915   整理番号：18A0723761

CdZnS量子ドットの容易な合成:光ルミネセンス特性に及ぼす異なるキャッピング剤の影響【JST・京大機械翻訳】

Facile synthesis of CdZnS QDs: Effects of different capping agents on the photoluminescence properties

著者 (5件)： Masab Muhammad (Department of Chemistry, Quaid-i-Azam University, Islamabad 45320, Pakistan) ,  Muhammad Haji (Department of Chemistry, Faculty of Science, Federal Urdu University of Arts, Science and Technology, Gulshan-e-Iqbal, Karachi 75300, Pakistan) ,  Shah Faheem (Department of Chemistry, COMSATS Institute of Information Technology, Abbottabad, Pakistan) ,  Yasir Muhammad (Department of Chemistry, Quaid-i-Azam University, Islamabad 45320, Pakistan) ,  Hanif Muddasir (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangxi Normal University, Nanchang, Jiangxi, 330022, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 81  ページ： 113-117  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光半導体QDは,レーザ,センサ,発光ダイオード,生物医学的標識,生物医学的イメージングおよび太陽電池における応用のために重要な材料である。最も簡単な水性法により合成したCdZnS量子ドット(QD)の構造的及び光学的特性に及ぼす五つの異なるキャッピング剤の影響を系統的に調べた。修飾したQDを紫外可視分光法,X線回折,定常状態光ルミネセンス(PL),時間分解PL,透過型電子顕微鏡により特性化した。CdZnS QDのバンドギャップとPL特性が異なるキャッピング剤を用いて変化できることを見出した。エチレンジアミン(EDA)とメルカプト酢酸(MAA)でキャップしたCdZnS QDは,他のキャッピング剤に比べて高いPL強度を示した。UV-Vis吸収スペクトルを用いて,5つの異なるQDの光学バンドギャップ:2.63eV(MAA),2.56eV(MPA),2.42eV(CA),2.64eV(グルコース)および2.62eV(EDA)を計算した。時間分解PL分光法は,MAAキャップCdZnS(CdZnS-MAA)QDに対して最も遅い双指数蛍光減衰速度を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 紫外可視吸収スペクトル ,  X線回折 ,  太陽電池 ,  透過型電子顕微鏡 ,  発光 ,  光学的性質 ,  光学ギャップ ,  発光ダイオード ,  *光ルミネセンス ,  蛍光減衰 ,  *量子ドット ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： 紫外可視分光法 ,  生物医学 ,  *キャッピング剤 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CDZnS QDs ,  キャッピング ,  光ルミネセンス ,  バンドギャップ ,  光学的性質

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子ドット ,  光ルミネセンス ,  キャッピング剤