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J-GLOBAL ID：201802227184634779   整理番号：18A0427769

スパークプラズマ焼結による結合SiCセラミック接合拡散の強度に及ぼす微細構造特性とその影響【Powered by NICT】

Microstructure characteristic and its influence on the strength of SiC ceramic joints diffusion bonded by spark plasma sintering

著者 (8件)： Li H.X. (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) ,  Zhong Z.H. (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) ,  Zhang H.B. (Institute of Nuclear Physics and Chemistry, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China) ,  Zhu Z.X. (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) ,  Hua P. (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) ,  Chen C. (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) ,  Wu Y.C. (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) ,  Wu Y.C. (National-Local Joint Engineering Research Centre of Nonferrous Metals and Processing Technology, Hefei 230009, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 4  ページ： 3937-3946  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1500~°Cの温度範囲1700~°CにおけるTa5W中間層を用いた放電プラズマ焼結により結合された高温応用拡散のためのSiC継手の界面ミクロ組織進展及び剪断強度を調べた。界面微細構造解析は(Ta,W)C相が最初に生成し,(Ta,W)-Si金属間化合物は続いてSiC/Ta 5W界面であることを示した。接合温度は反応層の厚さ,接合温度を増やすことで増加するに有意な影響を及ぼした,保持時間は反応層の厚さに影響を及ぼした。SiC/Ta 5W界面の拡散速度の計算は,拡散定数はホットプレス結合によって得られたものより約二桁大きく,活性化エネルギーはホットプレス結合の十分の1であったことを示した。反応層の厚さと界面欠陥の両者は継手のロバスト性に大きな影響を有し,122±15MPaの最大剪断強度は1600°Cで接合した5分間継手で得られた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  拡散速度 ,  *微細構造 ,  金属間化合物 ,  保持時間 ,  *炭化ケイ素 ,  ホットプレス ,  *接合 ,  *放電プラズマ焼結 ,  剪断強さ ,  *セラミック ,  拡散係数 ,  界面
準シソーラス用語： 接合温度 ,  中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiC ,  拡散接合 ,  中間層 ,  スパークプラズマ焼結 ,  Microstructure

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパークプラズマ焼結 ,  SiC ,  セラミック ,  拡散 ,  微細構造