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文献
J-GLOBAL ID:201802227314772748   整理番号:18A0733729

電子材料とディスプレイ材料の開発動向 高性能ディスプレイ用有機半導体の超臨界下合成技術の開発

著者 (4件):
資料名:
巻: 66  号:ページ: 58-61  発行年: 2018年04月22日 
JST資料番号: F0013B  ISSN: 0289-4343  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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・有機溶媒を用いることのない環境負荷の低い高性能ディスプレイ用有機半導体の超臨界下合成技術の開発の紹介。
・圧力容器に原料(ハロゲン化アリールやアリールボロン酸),触媒,塩基を仕込み,温度120°C,圧力14MPaの条件,超臨界二酸化炭素(scCO2)中で合成し,THFに溶解し,ろ過された不溶物のHPLCによる分析。
・Suzukiカップリングによる有機半導体生成の確認と合成条件の確立。
・有機溶媒中での合成と比較して短時間で高い収率で得られる有機半導体の超臨界下合成技術の認定。
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分類 (1件):
分類
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反応操作(単位反応) 

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