SiO_2薄膜中の近表面注入銀ナノ粒子からの角度依存局在表面プラズモン共鳴【JST・京大機械翻訳】

Bommali R. K.; Mahapatra D. P.; Gupta H.; Guha Puspendu; Topwal D.; Vijaya Prakash G.; Ghosh S.; Srivastava P.

文献

J-GLOBAL ID：201802227407941817 整理番号：18A1506483

SiO_2薄膜中の近表面注入銀ナノ粒子からの角度依存局在表面プラズモン共鳴【JST・京大機械翻訳】

Angle dependent localized surface plasmon resonance from near surface implanted silver nanoparticles in SiO₂ thin film

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資料名：
巻： 124 号： 6 ページ： 063107-063107-6 発行年： 2018年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

酸化けい素中に埋め込まれた表面近傍の銀ナノ粒子は,アニーリングステップの必要なしに40keVの銀負イオン注入によって得られた。膜内のイオンビーム誘起局所加熱は,銀イオンの膜表面への外部拡散をもたらし,より大きなナノ粒子の突起をもたらす。断面透過型電子顕微鏡は,SiO_2膜の異なる深さにおいて,2nmと20nmの間にある多分散ナノ粒子(NPs)の存在を明らかにした。垂直入射反射スペクトルは400nm付近に二重キンク特徴を示し,埋め込まれたNPsからの強い局在表面プラズモン共鳴(LSPR)を示した。しかし,二層干渉とLSPRの重なりにより,関連する特徴は分離するのが難しい。有効媒質近似と組み合わせた伝達行列シミュレーションの使用により,LSPR関連吸収と正しいキンクとの関連における曖昧さを明らかにした。シミュレーションを角度依存反射率測定でさらに検証した。さらに,転送行列シミュレーションを用いて,膜の深さを通して電場強度分布を計算し,それにより,増強電場強度を注入膜の表面で予測した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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固体プラズマ

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