{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad01_expire_date}}
{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad02_expire_date}}
文献
J-GLOBAL ID:201802227422450613   整理番号:18A1330586

AlGaN/GaN MOS構造における原子層堆積を用いたAlONゲート誘電体の実現とその物理的および電気的特性

Implementation of atomic layer deposition-based AlON gate dielectrics in AlGaN/GaN MOS structure and its physical and electrical properties
著者 (11件):
資料名:
巻: 57  号: 6S3  ページ: 06KA02.1-06KA02.7  発行年: 2018年06月
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の薄膜  ,  界面の電気的性質一般 
引用文献 (29件):
  • M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
  • Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 17, 455 (1996).
  • A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998).
  • D. H. Cho, M. Shimizu, T. Ide, H. Okita, and H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4481 (2002).
  • S. L. Selvaraj, T. Ito, Y. Terada, and T. Egawa, Appl. Phys. Lett. 90, 173506 (2007).
もっと見る

前のページに戻る