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J-GLOBAL ID：201802227451241964   整理番号：18A1028626

強い光応答を持つInN nanopillar素子【JST・京大機械翻訳】

InN nanopillar devices with strong photoresponse

著者 (7件)： Hsu Lung-Hsing (Institute of Lighting and Energy Photonics, National Chiao Tung University, Tainan 711, Taiwan) ,  Kuo Chien-Ting (Institute of Lighting and Energy Photonics, National Chiao Tung University, Tainan 711, Taiwan) ,  Cheng Yuh-Jen (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  Chen Kuan-Chao (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  Kuo Hao-Chung (Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lin Shih-Yen (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  Lin Chien-Chung (Institute of Photonic System, National Chiao Tung University, Tainan 711, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InNピラー/p-GaNは可視および赤外吸収の拡張に有望である。より高い成長温度とより多くのV/IIIは,低圧金属有機化学蒸着により作製した六方晶InNピラーエピタクシーに向かう傾向があった。Raman及び光ルミネセンス(PL)測定により,より高いFermi準位からアクセプタ発光への引張歪効果及びピークエネルギー青方偏移現象を調べた。高品質InNピラーはX線回折パターンによりインジウム液滴を示さなかった。InNピラー光検出素子を拡張IR応答により実証し,InN検出の部分光電流をAM1.5G太陽シミュレーションスペクトルにより測定した13%の高さで検出した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 液滴 ,  六方晶系 ,  光ルミネセンス ,  青方偏移 ,  *Fermi準位 ,  MOCVD ,  太陽 ,  インジウム ,  窒化ガリウム ,  アクセプタ ,  発光 ,  光電流 ,  光検出器 ,  低圧
準シソーラス用語： 引張歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (2件)： 光応答 ,  InN