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J-GLOBAL ID：201802227534197678   整理番号：18A1860054

シュートスルー現象からIGBTを保護するためのゲート遮蔽効果のバイアス電圧基準【JST・京大機械翻訳】

Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena

著者 (6件)： Tsukuda M. (Advanced Power Devices Laboratory, Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan) ,  Tsukuda M. (Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Abe S. (Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Hasegawa K. (Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Ninomiya T. (Advanced Power Devices Laboratory, Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan) ,  Omura I. (Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 88-90  ページ： 482-485  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,寄生容量からバイアス電圧の基準を提案し,このIGBTによる実験における基準を実証した。バイアス電圧基準を,スケーリング原理に基づく新世代IGBTに対して理論的に予測した。安全なスイッチングのために,必要なゲート電圧バイアスは,現在のIGBTに対して-1.2V以下であると予測され,ゲート雑音電圧を完全にキャンセルするためには-6Vまたはそれ以下が必要である。IGBT設計から,スケーリングIGBTのバイアス電圧は,ゲート雑音電圧を完全にキャンセルするために-2Vを必要とする。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電圧 ,  *IGBT ,  漂遊容量 ,  *バイアス ,  安全性 ,  雑音
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *バイアス電圧 ,  遮蔽効果 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バイアス電圧 ,  ゲート ,  遮蔽効果 ,  IGBT ,  シュートスルー

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： シュート ,  現象 ,  IGBT ,  ゲート ,  遮蔽効果 ,  バイアス電圧