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J-GLOBAL ID：201802227630621446   整理番号：18A1351840

高分子/シリコンハイブリッド太陽電池のための背面メタライゼーション法としてのハフニウム薄膜【JST・京大機械翻訳】

Hafnium Thin Film as a Rear Metallization Scheme for Polymer/Silicon Hybrid Solar Cells

著者 (10件)： Yang Linlin (Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Chen Jianhui (Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Ge Kunpeng (Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Guo Jianxin (Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Ge Dayong (Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Huang Zhiping (Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Li Feng (State Key Laboratory of Photovoltaic Materials & Technology, Yingli Green Energy Holding Co., Ltd., Baoding 071051, China) ,  Xu Ying (Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Mai Yaohua (Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Mai Yaohua (Institute of New Energy Technology, College of Information Science and Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 12  号： 7  ページ： e1800089  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT:PSS)高分子/Siハイブリッド太陽電池をドープしたn型結晶シリコン(n-Si)とポリ(3, 4-エチレンジオキシチオフェン中のAg電極の裏面の間の後部メタライゼーション法として,ハフニウム(Hf)薄膜を初めて導入した。HF薄膜はスパッタリング技術により室温で均一に堆積し,相対湿度40%の雰囲気での安定な電気シート抵抗の利点を示した。Hf薄膜の挿入は,界面キャリア再結合と接触抵抗損失を低減し,高分子/Siハイブリッド太陽電池の開回路電圧(V_oc)と充填因子(FF)を著しく改善した。最後に,参照デバイス(Agバックメタライゼーションのみ)と比較して,より高い電力変換効率(PCE)を得た。この有効性はHf薄膜の仕事関数が低いことに起因し,ハイブリッド太陽電池の裏面での電子に対して高い透明度を確保することができた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  仕事関数 ,  スパッタリング ,  *薄膜 ,  銀 ,  *ケイ素 ,  *ハフニウム ,  透明度 ,  ドーピング ,  *メタライゼーション ,  キャリア再結合 ,  シート抵抗
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  電力変換効率 ,  *ハイブリッド太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： c-Si ,  ハフニウム薄膜 ,  ハイブリッド太陽電池 ,  メタライゼーション ,  PEDOT:PSS PSS

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子 ,  シリコン ,  ハイブリッド太陽電池 ,  背面 ,  メタライゼーション ,  ハフニウム ,  薄膜