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J-GLOBAL ID：201802227660471721   整理番号：18A1946014

異なるバッファ層を持つCdTe太陽電池の再結合機構の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of recombination mechanisms of CdTe solar cells with different buffer layers

著者 (8件)： Fang Xiaohui (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Ren Shengqiang (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Li Chunxiu (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Li Chuang (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Chen Gang (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Lai Huagui (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Zhang Jingquan (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Wu Lili (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, China)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 188  ページ： 93-98  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それらの性能をさらに改善するために,薄膜太陽電池の主要な再結合機構を理解することが重要である。Mg_xZn_1-xO(MZO),MZO/CdS,およびMZO/CdS/CdSeバッファ層を有するCdTe太陽電池の主要な再結合経路を,参照として従来のCdS/CdTeデバイスを用いて,光と暗所の両方で温度依存電流-電圧(JVT)キャラクタリゼーションによって研究した。MZOまたはMZO/CdSバッファ層を有する素子は,界面再結合により支配されることを確認し,素子の性能が悪いことを示した。バルク再結合によって支配される従来のCdSバッファ層を有するデバイスと比較して,MZO/CdS/CdSeバッファ層を有するデバイスは,同じ支配的再結合経路を示したが,優れた性能を示した。MZO/CdS/CdSeは有望な複合バッファ層であることを実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  キャラクタリゼーション ,  硫化カドミウム ,  *太陽電池 ,  電圧 ,  *テルル化カドミウム ,  セレン化カドミウム ,  界面 ,  電流 ,  *再結合 ,  *バッファ層
準シソーラス用語： 暗所 ,  薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Mg_xZn_1-xOバッファ層 ,  組換え解析 ,  JVT測定

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： バッファ層 ,  CdTe ,  太陽電池 ,  再結合 ,  研究