文献

J-GLOBAL ID：201802227710774095   整理番号：18A1147168

種々の幾何形状のための高分子絶縁体の電場解析【JST・京大機械翻訳】

Electric field analysis of polymer insulators for various geometrical configurations

著者 (3件)： NageswaraRao M. (EEE Department UCEK, JNTUK Kakinada, India) ,  Chaitanya V. S. N. K. (EEE Department UCEK, JNTUK Kakinada, India) ,  Rani R. Praveena (EEE Department UCEK, JNTUK Kakinada, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICPCSI  ページ： 1722-1727  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在の日,電場分布は高分子絶縁体の耐用年数における主要な関心事の領域である。多くの方法論が,実験的および数値的に絶縁体に沿った電場を解析するために提案されており,前者はより多くの時間を消費する可能性があり,多くの試行誤差試験を必要とし,最適寸法を決定する必要がある。超計算機のdaは,あらゆる複雑な形状に関して数値解析を実行可能にする。絶縁体は,より高い電気応力の存在により劣化し,失敗する。これらの電気応力は絶縁体の幾何学的配置の変化により最小化できる。本論文では,FEMM 2Dソフトウェアパッケージを用いて,11kVと33kVの高分子絶縁体を設計し,異なる臨界点における電界分布を解析した。電気応力は,主に絶縁体のサイズと形状の幾何学的配置の変化により減少した。結果を,絶縁体の実際の設計と幾何学的構成の変化を伴う絶縁体の間で比較した。幾何学的配置の変化による絶縁体はより良い場の結果を与えることが観察された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *絶縁体 ,  数値解析 ,  耐用年数 ,  *電場 ,  *高分子 ,  プログラムパッケージ ,  臨界点 ,  二次元
準シソーラス用語： 電界分布 ,  *幾何形状 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力線路要素・工事  (NB05020V) ,  変圧器  (NB08020Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 幾何形状 ,  高分子 ,  絶縁体 ,  電場 ,  解析