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J-GLOBAL ID：201802227757690758   整理番号：18A2155233

双晶境界欠陥を有する多孔質金上でのアセチレンの高選択性半水素化【JST・京大機械翻訳】

Highly selective semi-hydrogenation of acetylene over porous gold with twin boundary defects

著者 (4件)： Kameoka Satoshi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Krajci Marian (Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, Bratislava, 84511, Slovak Republic) ,  Tsai An Pang (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Tsai An Pang (National Institute of Materials Science (NIMS), Tsukuba, 305-0047, Japan)
資料名： Applied Catalysis. A: General  (Applied Catalysis. A: General)
巻： 569  ページ： 101-109  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0691C  ISSN： 0926-860X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 脱合金Al_2Au(PG(Al_2Au))によって調製した多孔質金は,Ag_3Au(PG(Ag_3Au))から調製した金粉末または多孔質金よりも,アセチレンの半水素化においてはるかに高い触媒性能を示した。エチレン生成に対するPG(Al_2Au)の選択性は350~523Kの温度範囲で95%以上であった。高い触媒性能は,PG(Al_2Au)のfcc格子における双晶欠陥の高密度の存在と相関した。対照的に,このような欠陥は粉末X線回折測定を用いてPG(Ag_3Au)または金粉末においてほとんど検出されなかった。PG(Al_2Au)双晶欠陥のステップ状{211}表面では,W鎖と呼ばれる高反応性低配位原子の長い閉鎖充填列が生成し,これがアセチレン半水素化の間に観察された高活性と選択性の原因である。ab initio密度汎関数理論(DFT)計算により,双晶欠陥により系統的に生成されたこれらの低配位Auサイト(CN=6または5)が水素吸着,解離およびそれに続く水素化反応を容易にすることを確認した。これらの実験およびDFT結果に基づいて,PG(Al_2Au)上のアセチレンの半水素化に対する反応シナリオを提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 反応性 ,  *金 ,  多孔質体 ,  密度汎関数法 ,  触媒活性 ,  粉体 ,  *水素化 ,  *多孔性 ,  *双晶 ,  水素吸着 ,  粉末X線回折 ,  高密度 ,  脱合金化法 ,  アルケン ,  アルキン
準シソーラス用語： 脱合金 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 多孔質金 ,  アセチレンの半水素化 ,  双晶境界欠陥 ,  W鎖サイト ,  低配位サイト ,  Al_2Au ,  浸出

分類 (2件)： 酸化,還元  (CF02060T) ,  貴金属触媒  (CB06122I)

物質索引 (2件)： エチレン ,  アセチレン

タイトルに関連する用語 (6件)： 双晶境界 ,  欠陥 ,  多孔質 ,  アセチレン ,  高選択性 ,  水素化