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J-GLOBAL ID：201802227785706803   整理番号：18A1777553

ハロゲンをドープしたχ_3ボロフェン上のリチウムイオンホッピングの増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of lithium-ion hopping on halogen-doped χ₃ borophene

著者 (6件)： Xia Zihan (College of Materials and Chemistry & Chemical Engineering, Chengdu University of Technology, Chengdu 610059, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Chen Xianfei ,  Zhang Wentao ,  Li Junfeng ,  Xiao Beibei ,  Du Haiying
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 37  ページ： 24427-24433  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3つの合成多形T,β_12およびχ_3から成る二次元ホウ素対応物であるボロフェンは,非常に高い容量を有するLiイオン電池の潜在的アノード材料と考えられている。しかしながら,β_12およびχ_3ボロフェン上のLiホッピングは,高エネルギー障壁(約0.6eV)で非常に遅く,したがって,高速充電領域におけるこれらのボロフェンの応用を妨げる。ここでは,プロトタイプχ_3ボロフェン系における緩慢なLiイオン拡散動力学を促進する試みにおいて,ハロゲン官能化を用いた。ハロゲンは,χ_3ボロフェンに強く結合し,後者から前者への実質的な電子移動を伴い,それにより,χ_3ボロフェンにおける局所電子欠乏をもたらす。χ_3ボロフェンからの電子抽出とハロゲンとLiの間の静電引力の相乗効果は,χ_3ボロフェンとLiの間の親和性の増強と,Liイオンホッピング障壁の減少をもたらす。ヨウ素は優先ドーパントであり,大部分の拡散経路は典型的に0.2eVより小さいエネルギー障壁を示す。著者らの結果は,ハロゲンの取り込みが,ホウ素ベースのアノード材料におけるLiイオンのインターカレーションと脱インターカレーションを容易にすることを示唆している。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  ホウ素 ,  ヨウ素 ,  *リチウム ,  *ドーピング ,  充電 ,  二次元 ,  *ホッピング伝導 ,  ドーパント ,  電子移動 ,  官能化 ,  インターカレーション ,  電池容量
準シソーラス用語： *リチウムイオン ,  エネルギー障壁 ,  *ボロフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (4件)： ハロゲン ,  ドープ ,  ボロフェン ,  増強