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J-GLOBAL ID：201802227907389442   整理番号：18A0242458

高キャリア移動度を持つ単一原子ハニカムBeN_3シートを形成するベンゼン様平面N_6環の安定化【Powered by NICT】

Stabilizing benzene-like planar N₆ rings to form a single atomic honeycomb BeN₃ sheet with high carrier mobility

著者 (4件)： Li Xiaoyin (Center for Applied Physics and Technology, College of Engineering, Peking University; Key Laboratory of High Energy Density Physics Simulation, Ministry of Education, Beijing 100871, China. [e-mail]) ,  Zhang Shunhong ,  Zhang Cunzhi ,  Wang Qian
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 3  ページ： 949-957  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 安定な原子シートを構築するための構造単位としての平面N_6リングを使用する長年探求である。C_6H_6と異なり,中性N_6環は電子の孤立電子対の強い反発のために不安定である。第一原理計算と大域的構造探索法を用いて,N_6ユニットはBe原子の結合により安定化された,h BeN_3ハニカム単分子層,幾何学とN_6環のπ分子軌道はよく保たれているを形成できることを示した。シートだけでなく,エネルギー的,動的及び熱的に安定でなく,群論解析と組み合わせた1000Kバンド構造計算までの高い温度に耐えることができ,強束縛モデルはH BeN_3は1.67eVの間接バンドギャップをもつπバンドが支配的バンド構造を持つことを明らかにする。可視光の光子エネルギー領域にあるΓ点で2.07eVの直接バンドギャップを持つが,そのバンド間双極子遷移は,電子がフォノンの自由光子によって励起されることができるように可能にした対称である。変形ポテンシャル理論に基づいて,輸送特性の系統的研究はH BeN_3シートは~10~3cm~2V~ 1s~ 1の高いキャリア移動度を有し,広く研究されている遷移金属二カルコゲン化物単分子層より優れていことを明らかにした。は,このシートはジグザグまたはアームチェアナノチューブに圧延できることを実証した。これらのナノチューブは動的に安定であり,全てがそれら2D対応物のそれに匹敵するキャリア移動度をもつ直接バンドギャップ半導体,それらのキラリティーと直径にかかわらず。h BeN_3シートとその管状誘導体のロバスト安定性と新しい電子および輸送特性は,ナノエレクトロニクス素子への応用に大きな可能性を与える。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンド構造 ,  計算 ,  半導体 ,  二次元 ,  単分子層 ,  フォノン ,  対称性 ,  分子軌道 ,  *ベリリウム ,  光子 ,  可視光 ,  *キャリア移動度 ,  ナノチューブ
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  直接バンドギャップ ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： キャリア移動度 ,  単一原子 ,  ベンゼン ,  環 ,  安定化