K_2NiF_4構造を持つ高_C銅酸化物の薄膜におけるエピタキシャル効果【Powered by NICT】

Naito Michio; Sato Hisashi; Tsukada Akio; Yamamoto Hideki

文献

J-GLOBAL ID：201802227913525372 整理番号：18A0488122

K_2NiF_4構造を持つ高_C銅酸化物の薄膜におけるエピタキシャル効果【Powered by NICT】

Epitaxial effects in thin films of high-T _c cuprates with the K₂NiF₄ structure

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=18A0488122&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=18A0488122&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0580A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 546 ページ： 84-114 発行年： 2018年
JST資料番号： T0580A ISSN： 0921-4534 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

La_2- Sr_x CuO_4(LSCO)とLa_2- Ba_x CuO_4(LBCO)は,「正孔」高_c超伝導体の原型材料として認識されている。それらの結晶構造は比較的単純な少数成分陽イオン元素であった。添加では,ドーピングレベル,ドーピングに依存した電子的および磁気的性質の全スペクトルを得るために十分に広い範囲にわたって化学的置換によって変えることができた。これらの魅力的な特徴は,LSCOとLBCOの薄膜成長に多くの研究者を重ねてきた。LSCOとLBCOの臨界温度(T,c)はバルク試料におけるT_Cの正の圧力係数により示されるように歪に敏感であった。一般では,格子不整合基板(エピタキシャル歪)上に成長させた場合,膜を引き出した。LSCOとLBCO膜の成長での初期の試み(1997年以前)は,一般的に使用されるSrTiO_3基板(面内格子定数_Tsub=3.905Å)上に成長させた30K以下でうつ病T Cをもたらした:LSCOとLBCOの面内格子パラメータは≦3.80Åであり,従って引張エピタキシャル歪を導入した。状況はわずかに短い面内格子定数(Tsub=3.756Å)を持つLaSrAlO_4基板の使用によって変化した。LaSrAlO_4基板について,T cはオゾン酸化La_2CuO_4+-+δ膜におけるLa_1 0.85Sr_0 15CuO_4,La_1 0.85Ba_0 15CuO_4の47Kおよび56Kにおいて45K,バルク化合物のT Cより実質的に高いに達した。SrTiO_3にLaSrAlO_4と減少にLa_1 0.85Sr_0 15CuO_4膜におけるT_c増加はT_C(dT_c/dε_i)の異方性歪係数に基づく現象論的推定と一致して半定量的にした。本総説では,著者らはK_2NiF_4構造を有する銅酸化物の膜の成長と性質を説明し,主にエピタキシャル安定化によるエピタキシャル歪と準安定相形成によるT_cの増加/減少に焦点を当てた。エピタキシャル歪によるT_Cの変化の微視的理解に向けてT Cを制御する構造および/または物理的パラメータを抽出した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

, , , , , , , , , , , , ,
, 【Automatic Indexing@JST】

酸化物系超伝導体の物性 , 酸化物薄膜

, ,

前のページに戻る