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J-GLOBAL ID：201802227923701242   整理番号：18A0187649

空気中のマイクロマシンCMOS-SOIトランジスタ(TMOS)熱センサの動作【Powered by NICT】

Micro-machined CMOS-SOI transistor (TMOS) thermal sensor operating in air

著者 (9件)： Zviagintsev A. (Dept. of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Blank T. (Dept. of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Brouk I. (Dept. of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Bar-Lev S. (Dept. of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Stolyarova S. (Dept. of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Svetlitza A. (Dept. of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Bloom I. (Dept. of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Nemirovsky A. (Dept. of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel) ,  Nemirovsky Y. (Dept. of Electrical Engineering, Technion, Haifa 32000, Israel)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： COMCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,良く確立された1μm技術で処理されたCMOS-SOI TMOS熱センサの性能を示し,空気中で動作する。TMOSは微細加工CMOSトランジスタであり,サブしきい値で動作する。熱的に隔離された浮遊MOSトランジスタは物理的または化学的現象によって誘起された温度変化を感知する。温度の変化は閾値電圧とそれに応じて微細加工トランジスタのI-V特性を変化させる。,真空包装無しで,空気中運転は,IoT,ウェアラブル,スマートホームやスマートフォンなどの低コスト市販モバイルアプリケーションの広い範囲のための低コスト製品を可能にする。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度変動 ,  *トランジスタ ,  スマートフォン ,  電流電圧特性 ,  *CMOS ,  微細加工 ,  *マイクロマシン ,  MOSFET
準シソーラス用語： スマートホーム ,  ウェアラブル ,  モノのインターネット ,  閾値電圧 ,  サブ閾値 ,  CMOSトランジスタ ,  *熱センサ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 空気中 ,  マイクロマシン ,  CMOS ,  SOI ,  トランジスタ ,  熱センサ