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J-GLOBAL ID：201802227955215397   整理番号：18A0265865

静水圧と電場効果の下での(In,Ga)N/GaNコア/シェルにおけるドナーの光イオン化断面積【Powered by NICT】

Photo-ionization cross-section of donor-related in (In,Ga)N/GaN core/shell under hydrostatic pressure and electric field effects

著者 (2件)： El Ghazi Haddou (Ecole Nationale Superieure des Arts et Metiers (ENSAM), Universite Hassan II, 150 Nile, Sidi Othmane, Casablanca, Morocco) ,  John Peter A. (Department of Physics, Govt. Arts and Science College, Melur, 625106 Madurai, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 104  ページ： 222-231  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 曲げエネルギーと光イオン化断面積球状コア/シェル閃亜鉛鉱(In,Ga)におけるGaN水素様ドナー不純物関連自己と誘起分極を計算した。変分法と有効質量と放物線近似の範囲内で,計算を有効質量と一定の誘電の不連続性を考慮した有限ポテンシャル障壁下で行った。光イオン化断面積は炉心の静水圧,印加電場,構造の半径,不純物の位置とインジウム組成の効果を考慮した光子入射エネルギーにしたがって研究した。は上述の影響を光イオン化断面積スペクトルの共鳴ピークの青方偏移または赤方偏移に導くことが分かった。構造半径に関連した異常な挙動は,有限ポテンシャル閉込めの結果として議論した。光イオン化断面積は,内部および外部の要因を調整することで制御できることを示した。これらの特性は,量子ドット赤外光検出器のようないくつかのデバイス応用を製造するための有用である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電場 ,  光検出器 ,  *電場効果 ,  変分法 ,  有効質量 ,  赤方偏移 ,  *光イオン化 ,  *断面積 ,  青方偏移 ,  *窒化ガリウム ,  不純物 ,  *ドナー ,  *静水圧 ,  ポテンシャル障壁 ,  量子ドット

著者キーワード (4件)： 静水圧 ,  電場 ,  光イオン化断面積 ,  自己と誘起された分極

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 静水圧 ,  電場効果 ,  Ga ,  GaN ,  コア ,  シェル ,  ドナー