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J-GLOBAL ID：201802228021579583   整理番号：18A0073671

トラッピングと衝突イオン化を含むHEMT大信号積分変換モデル【Powered by NICT】

HEMT large-signal integral transform model including trapping and impact ionization

著者 (5件)： van Raay Friedbert (Fraunhofer Inst. for Applied Solid-State Physics (IAF), Tullastr. 72, D-79108 Freiburg, Germany) ,  Ohlrogge Matthias (Fraunhofer Inst. for Applied Solid-State Physics (IAF), Tullastr. 72, D-79108 Freiburg, Germany) ,  Leuther Arnulf (Fraunhofer Inst. for Applied Solid-State Physics (IAF), Tullastr. 72, D-79108 Freiburg, Germany) ,  Schwantuschke Dirk (Fraunhofer Inst. for Applied Solid-State Physics (IAF), Tullastr. 72, D-79108 Freiburg, Germany) ,  Schlechtweg Michael (Fraunhofer Inst. for Applied Solid-State Physics (IAF), Tullastr. 72, D-79108 Freiburg, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EuMIC  ページ： 200-203  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい大信号FETモデルは有効な分析チャンネル電流定式化における捕獲,衝突イオン化,破壊と熱効果を同時にカバーを提案した。ドレイン電流と電荷関数はコンダクタンスとキャパシタンスの積分変換を用いて記述した。InAlAs/InGaAs mHEMT抽出例をDC,デバイスにおける捕獲と衝突イオン化効果に関連しているかもしれない異なる低周波分散効果にもかかわらずデバイスの小信号と大信号性能の良好な同時予測を実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *衝突イオン化 ,  熱影響 ,  コンダクタンス ,  *HEMT ,  電流 ,  *積分変換 ,  *モデル ,  LF【周波数】 ,  定式化 ,  チャネル ,  電荷 ,  静電容量
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *大信号 ,  *トラッピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： トラッピング ,  衝突イオン化 ,  HEMT ,  大信号 ,  積分変換 ,  モデル