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J-GLOBAL ID：201802228079946970   整理番号：18A2105835

酸化ケイ素ナノワイヤの反応中間体誘起蒸気-液体-固体成長【JST・京大機械翻訳】

Reaction intermediate-induced vapor-liquid-solid growth of silicon oxide nanowires

著者 (4件)： Huson Joseph J. (Department of Mechanical Engineering and Engineering Science, The University of North Carolina at Charlotte, 9201 University City Boulevard, Charlotte, NC 28223, USA. [e-mail]) ,  Sheng Tao ,  Ogle Ezekiel ,  Zhang Haitao
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 20  号： 45  ページ： 7256-7265  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸気-液体-固体(VLS)プロセスは,触媒粒子の支援による種々の一次元(1D)ナノ構造の制御成長のための最も一般的な気相法である。典型的なVLSプロセスにおいて,望ましい堆積物の前駆体を成長中に意図的に導入し,触媒を用いて1Dナノ構造の形成を促進した。しかしながら,本研究では,対応するソース材料を直接導入することなく,予想外の1Dナノ構造成長のための新しいVLS成長モードを報告する。化合物半導体,ZnTeのナノ構造成長において,予想されるZnTeナノワイヤアレイの他に,「クラゲ状」SiO_xナノワイヤの予想外の成長が観察された。成長機構の研究は,ZnTe成長,Teベースの蒸気種からの反応中間体がSi蒸気を生成することにより成長を誘導し,一方,Au触媒はナノ構造の成長を促進し,この新しいVLSモードにおける詳細な成長過程を解析した。本研究は,化合物半導体ナノ構造の成長のための組成と相制御に向けての注意を引き付けるであろう。新しい成長モードは,より低い温度とより低いコストで他のナノ材料の便利な成長を実現するために拡張できる。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金 ,  触媒 ,  *反応中間体 ,  *ナノワイヤ ,  *酸化 ,  一次元 ,  前駆体 ,  ナノ材料 ,  テルル化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  ナノ構造 ,  *ケイ素 ,  *VLS成長
準シソーラス用語： ナノワイヤアレイ ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化 ,  ケイ素ナノワイヤ ,  反応中間体 ,  誘起 ,  蒸気-液体-固体成長