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J-GLOBAL ID：201802228093648202   整理番号：18A2071848

電流電圧特性研究によるZnOナノロッドとシクロヘキサン検出の成長に及ぼすエタン-1,2-ジアミンの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Ethane-1,2-Diamine on Growth of ZnO Nanorods and Cyclohexane Sensing by Current-Voltage Characteristics Investigations

著者 (8件)： Shahzad Shazrah (National University of Sciences and Technology (NUST), School of Chemical and Materials Engineering (SCME); H-12, Islamabad, Pakistan, 44000) ,  Ali Dawar (School of Chemical and Materials Engineering, NUST H-12 Islamabad, Materials Engineering; Pakistan) ,  Asif Jawad (School of Chemical and Materials Engineering, NUST H-12, Materials Engineering; Pakistan) ,  Khan Muhammad Zafar (School of Chemical and Materials Engineering, NUST H-12 Islamabad, Materials Engineering; Pakistan) ,  Akram Muhammad Aftab (National University of Sciences and Technology (NUST), School of Chemical and Materials Engineering (SCME); H-12, Islamabad, Pakistan, 44000) ,  Javed Sofia (National University of Sciences and Technology (NUST), School of Chemical and Materials Engineering (SCME); H-12, Islamabad, Pakistan, 44000) ,  Manzoor Umair (School of Chemical and Materials Engineering, NUST H-12 Islamabad, Materials Engineering; Pakistan) ,  Mujahid Mohammad (National University of Sciences and Technology (NUST), School of Chemical and Materials Engineering (SCME); H-12, Islamabad, Pakistan, 44000)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 778  ページ： 126-131  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミン(HMTA)を用いた垂直配向ZnOナノロッド配列の成長を,シリコンウエハ上の化学浴析出により調べた。エタン-1,2-ジアミンの影響下で成長を行い,アミン系エンハンサーを前駆体(Zinc Nitrate及びHMTA)に対するエンハンサーの3つの異なる比率(1:0.5,1:1,1:1.5)に基づいて評価した。走査電子顕微鏡(SEM)とX線粉末回折(XRD)の下で,成長したナノロッドの形態アスペクト比と結晶度に及ぼす増強剤の異なる比率の影響を研究した。電流-電圧特性のような電気特性を研究し,100μL-500μLの芳香族化合物シクロヘキサンの存在下でのナノロッドの形態とアスペクト比との相関,および異なる印加電圧でのそれの相関を調べた。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 水和物 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  *ナノロッド ,  結晶度 ,  前駆体 ,  アスペクト比 ,  *電流電圧特性 ,  シクロアルカン
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  粉末X線回折 ,  シリコンウエハ ,  垂直配向 ,  ケイ酸亜鉛 ,  *酸化亜鉛ナノロッド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： I-V特性 ,  シクロヘキサン ,  化学浴析出 ,  垂直整列ZnOナノロッド ,  エタン-1,2-ジアミン

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： シクロヘキサン

タイトルに関連する用語 (7件)： 電流電圧特性 ,  研究 ,  ZnOナノロッド ,  シクロヘキサン ,  成長 ,  エタン ,  ジアミン