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J-GLOBAL ID：201802228239611143   整理番号：18A0884470

金属銅支援化学エッチングによる金剛線カット多結晶シリコンの製造【JST・京大機械翻訳】

Cu-assisted Chemical Etching of Diamond Wire Sawn Multicrystalline Silicon Wafers for Texturing

著者 (6件)： Zou Yuxin (昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明,650093) ,  Xi Fengshuo (昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明,650093) ,  Qiu Jiajia (昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明,650093) ,  Yang Xi (云南省能源研究院有限公司,昆明,650093) ,  Li Shaoyuan (昆明理工大学復雑有色金属資源清潔利用国家重点実験室,昆明,650093) ,  Ma Wenhui (昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明,650093)
資料名： Zhongguo Biaomian Gongcheng  (Zhongguo Biaomian Gongcheng)
巻： 30  号： 6  ページ： 59-66  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2759A  ISSN： 1007-9289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 金剛線切断多結晶シリコン製絨毛後のシリコンチップの反射率が高く、切断紋が除去しにくいなどの問題に対して、酸性ウェットエッチング前処理と低コストの金属銅補助化学エッチングを用いて、金剛線切断多結晶シリコンウエハ表面のカシミアを実現した。結果により、酸腐食時間の増加に伴い、金剛線切断多結晶シリコンチップの表面切断紋、粗さは有効に改善された。逆ピラミッド構造の導入はシリコンウエハ表面の反射率を効果的に低減できる。酸洗浄の処理時間が5minで、金属銅の補助化学エッチング時間が15minの時、サンプル表面の逆ピラミッド構造が最も均一で、且つ3001100nmの波長範囲で、最低平均反射率3.32%が得られた。同時に、優れた減反効果と切り取り紋の除去能力により、製織後金剛線切断多結晶シリコンチップは高効率の太陽電池を実現させるのに有望である。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 加工時間 ,  酸性 ,  *ポリシリコン ,  反射率 ,  *銅 ,  前処理 ,  角錐 ,  *多結晶 ,  太陽電池 ,  *ウェットエッチング
準シソーラス用語： 高効率 ,  除去性能 ,  シリコンウエハ ,  酸腐食 ,  シリコンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： diamond wire sawn ,  multicrystalline silicon wafers ,  saw marks ,  copper assisted etching ,  inverted pyramid ,  reflectivity

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属銅 ,  支援 ,  化学エッチング ,  多結晶シリコン