文献

J-GLOBAL ID：201802228248899184   整理番号：18A0731873

電気化学的プロセスにおけるブロモシランからのシリコンの析出と形態変化

Deposition and Morphology Change of Silicon from Bromosilane in Electrochemical Process

著者 (5件)： 友野和哲 (関東学院大 理工) ,  山脇嵩 (関東学院大 理工) ,  小後摩貴由 (関東学院大 理工) ,  柿原俊太 (東京理大 理) ,  田巻義規 (明海大 歯)
資料名： 関東学院大学工学総合研究所報  (Bulletin of Institute of Science and Technology. Kanto Gakuin University)
号： 46  ページ： 27-32  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： G0426B  ISSN： 0387-2556  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ブロモシランからのシリコン膜の電着の研究が記載されている。典型的な電解浴組成物は,支持電解質として0.22mol/Lの臭化テトラブチルアンモニウムを含有するプロピレンカーボネート中の0.12mol/Lテトラブロモシランであった。堆積物は,5-70°Cで-3.5V(対準Pt基準)で定電位で調製した。ニッケル,酸化インジウムスズ(ITO)およびフッ素ドープ酸化スズ(FTO)を含む様々な材料を基板に使用した。EDX,XPSおよびラマン分析により,得られた珪素膜は大気中で酸化されていることが明らかとなった。反応温度を変化させると,高温で調製された堆積物に対して比較的滑らかな表面が観察された。堆積物が無作為に生じる低温では,粉末状の形態が明らかになる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  *電着 ,  *温度依存性 ,  *モルフォロジー ,  *表面構造 ,  酸化インジウムスズ ,  ニッケル ,  処理 ,  電気化学 ,  臭化水素 ,  化学分析 ,  電解分析 ,  *エネルギー分散X線分光分析 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光分析 ,  *廃棄物 ,  *臭化ケイ素 ,  *表面分析 ,  *表面形態 ,  電気化学分析 ,  電気化学的処理 ,  *構造
準シソーラス用語： 電気化学的プロセス ,  *電気化学的析出 ,  *ブロモシラン

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気化学的プロセス ,  シリコン ,  析出