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J-GLOBAL ID:201802228284180337   整理番号:18A0925949

有機電界効果トランジスタに基づくセンサの性能改善のための戦略【JST・京大機械翻訳】

Strategies for Improving the Performance of Sensors Based on Organic Field-Effect Transistors
著者 (5件):
資料名:
巻: 30  号: 17  ページ: e1705642  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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有機半導体(OSC)は,それらの独特の電荷輸送特性のために,電界効果トランジスタにおけるセンシングチャネル材料として広く研究されてきた。その環境条件によって引き起こされる刺激は,OSCsの電荷キャリア密度と移動度を容易に変えることができる。有機電界効果トランジスタ(OFET)は,素子構造を大幅に単純化する信号変換器と信号増幅器の両方として機能することができる。過去数十年にわたり,物理センサ,化学センサ,バイオセンサ,および高度な機能性を持つ集積センサアレイを含む,OFETsに基づく種々のセンサが開発されている。しかしながら,OFETベースのセンサの性能は,高感度,高選択性,および高速応答速度のような種々の実用的応用からの要求を満たすために,まだ改善される必要がある。OSCsの分子構造とミクロ/ナノ膜構造の調整は,より良いセンシング性能を達成するための重要な戦略である。誘電層と半導体/誘電体界面の改質は,センサ性能を改善するもう一つの方法である。さらに,統合されたデバイスアレイを開発することにより,高度な官能機能が達成された。ここでは,OFETセンサの性能を改善するために使用される戦略の簡単なレビューを示した。これは,種々の特異的で実用的な応用のための将来のOFETセンサの設計のための指針を提供すると期待される。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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トランジスタ 
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