SiCトレンチエッチング二重拡散MOS(TED MOS)による短絡能力のロバスト性改善【JST・京大機械翻訳】

Tega Naoki; Tani Kazuki; Hisamoto Digh; Shima Akio

文献

J-GLOBAL ID：201802228347901992 整理番号：18A1211115

SiCトレンチエッチング二重拡散MOS(TED MOS)による短絡能力のロバスト性改善【JST・京大機械翻訳】

Robustness improvement of short-circuit capability by SiC trench-etched double-diffused MOS (TED MOS)

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資料名：
巻： 2018 号： ISPSD ページ： 439-442 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

3.3kV SiCトレンチエッチング二重拡散MOS(TED MOS)を設計し,ロバスト短絡(SC)能力用に作製した。低V_(V_g-V_th)動作のため,TED MOSは飽和領域のドレイン電流をSC試験で700A/cm2以下に減少させることに成功した。飽和領域における低ドレイン電流は,TED MOSのSC能力を強化する。結果として,TED MOSのSC耐久時間は,従来のSiC DMOSのそれより2.8倍長い。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

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