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J-GLOBAL ID：201802228415728461   整理番号：18A2063633

2D材料の成長の計算による理解【JST・京大機械翻訳】

Computational Understanding of the Growth of 2D Materials

著者 (5件)： Gao Junfeng (Institute of High Performance Computing, A*STAR, Singapore, 138632, Singapore) ,  Xu Ziwei (School of Materials Science & Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, China) ,  Chen Shuai (Institute of High Performance Computing, A*STAR, Singapore, 138632, Singapore) ,  Bharathi Madurai S. (Institute of High Performance Computing, A*STAR, Singapore, 138632, Singapore) ,  Zhang Yong-Wei (Institute of High Performance Computing, A*STAR, Singapore, 138632, Singapore)
資料名： Advanced Theory and Simulations  (Advanced Theory and Simulations)
巻： 1  号： 11  ページ： e1800085  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2665A  ISSN： 2513-0390  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去20年にわたり,2D材料成長を理解するための計算法の使用において顕著な進歩がなされてきた。このレビューの目的は,2D材料成長のモデリングとシミュレーションのためのいくつかの最先端計算法の概観を提供することである。最初に,2D材料の現状とそれらの主要な成長方法について述べた。次に,2D材料成長におけるab initio法の応用を,前駆体の反応,吸着原子の拡散,成長前面のエネルギー論と速度論,および基板の効果に焦点を合わせて議論した。次に,種々の基板上のグラフェンの成長と窒化ホウ素とケイ素の成長に重点を置いて,2D材料成長における分子動力学アプローチの応用について議論した。さらに,2D材料成長における速度論的モンテカルロ法の応用について考察した。この方法のパラメータ化と二量体分布におけるその応用,およびグラフェンの非線形エッジ成長について議論した。続いて,2D材料成長におけるフェーズフィールド法の応用について議論し,2Dドメインの成長速度と形態変化に焦点を合わせた。最後に,展望と結論を提示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ケイ素 ,  窒化ホウ素 ,  モデリング ,  基板 ,  *二次元 ,  ab initio法 ,  形態 ,  前駆体 ,  パラメタリゼーション ,  速度論 ,  成長速度 ,  エネルギー ,  グラフェン
準シソーラス用語： ドメイン構造 ,  フェイズフィールド法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 2D材料 ,  計算 ,  成長

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2D ,  成長 ,  計算 ,  理解