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J-GLOBAL ID：201802228488311541   整理番号：18A1378445

P-141:仮想壁を持つ二次元閉込めにより支援された垂直整列液晶のサブミリ秒スイッチング【JST・京大機械翻訳】

P-141: Sub-millisecond Switching of Vertically-Aligned Liquid Crystals Aided by Two-Dimensional Confinement with Virtual Walls

著者 (4件)： Choi Tae-Hoon (Department of Electronics Engineering, Pusan National University, Busan, Korea, 46241) ,  Jeon Byoung-Gyu (Department of Electronics Engineering, Pusan National University, Busan, Korea, 46241) ,  Woo Jae-Hyeon (Department of Electronics Engineering, Pusan National University, Busan, Korea, 46241) ,  Yoon Tae-Hoon (Department of Electronics Engineering, Pusan National University, Busan, Korea, 46241)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 49  号： 1  ページ： 1695-1698  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直整列ネマチック液晶(LCs)のサブミリ秒スイッチングの方法を報告した。面内場を垂直配列(VA)セルに適用すると,仮想壁は交差指電極の中心とそれらの間のギャップの中央に構築される。LC分子は二つの基板だけでなく仮想壁によっても閉じ込められているので,面内磁場によって駆動されるVAセルのターンオフ時間は交差指電極のピッチとセルギャップに依存する。したがって,面内磁場によって駆動されるVAセルのターンオフ時間は,仮想壁によって提供される増強されたアンカリングの結果として,交差指電極のピッチを減少させることによって,簡単に低減することができる。VAセルにおいてサブミリ秒の応答時間を実験的に得た。作製したVA-FFSセルのターンオンとターンオフ時間の測定値は,それぞれ0.33msと0.41msであった。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 応答時間 ,  *二次元 ,  ターンオン ,  ネマチック相 ,  *スイッチング ,  高速度 ,  *液晶 ,  液晶ディスプレイ
準シソーラス用語： セル間隔 ,  面内磁場 ,  交差指電極 ,  垂直配列 ,  *垂直配向 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高速スイッチング ,  液晶ディスプレイ ,  液晶 ,  二次元閉込め ,  仮想壁

分類 (2件)： 表示機器  (NC06030Q) ,  液晶一般  (BK03010L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 仮想 ,  閉込め ,  支援 ,  垂直整列 ,  液晶 ,  サブ ,  秒 ,  スイッチング