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J-GLOBAL ID：201802228538464871   整理番号：18A2219522

長波長赤外検出のためのInAs/GaSb超格子光検出器と焦点面アレイにおける暗電流と量子効率に対する浅いエッチングと深いエッチングの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of shallow versus deep etching on dark current and quantum efficiency in InAs/GaSb superlattice photodetectors and focal plane arrays for long wavelength infrared detection

著者 (12件)： Hoglund L. (IRnova AB, Electrum 236 - C5, SE-164 40 Kista, Sweden) ,  Rodriguez J.B. (IES, Univ. Montpellier, CNRS, F-34000 Montpellier, France) ,  Marcks von Wuertemberg R. (IRnova AB, Electrum 236 - C5, SE-164 40 Kista, Sweden) ,  Naureen S. (IRnova AB, Electrum 236 - C5, SE-164 40 Kista, Sweden) ,  Ivanov R. (IRnova AB, Electrum 236 - C5, SE-164 40 Kista, Sweden) ,  Asplund C. (IRnova AB, Electrum 236 - C5, SE-164 40 Kista, Sweden) ,  Alchaar R. (IES, Univ. Montpellier, CNRS, F-34000 Montpellier, France) ,  Christol P. (IES, Univ. Montpellier, CNRS, F-34000 Montpellier, France) ,  Rouvie A. (Airbus Defence and Space, 31 Rue des Cosmonautes, ZI du Palays, 31402 Toulouse, France) ,  Brocal J. (Airbus Defence and Space, 31 Rue des Cosmonautes, ZI du Palays, 31402 Toulouse, France) ,  Saint-Pe O. (Airbus Defence and Space, 31 Rue des Cosmonautes, ZI du Palays, 31402 Toulouse, France) ,  Costard E. (IRnova AB, Electrum 236 - C5, SE-164 40 Kista, Sweden)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 95  ページ： 158-163  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,浅いエッチングと深いエッチしたInAs/GaSbタイプII超格子フォトダイオードの量子効率と暗電流密度の比較を示した。検出器は,約11.2μmの測定カットオフ波長を有する空間応用のために調整した。QEのバイアスと温度依存性を研究し,バイアス(>-25mV)の非常に低いターンと温度によるピークQE値の非常に小さい変化を示した。70Kにおいて,浅いおよび深いエッチング素子のピーク量子効率は,それぞれ34%および30%(反射防止被覆なし)と推定された。この差は,明確なピクセル領域の外側の約22μmの収集範囲で,浅いエッチング素子のより大きな収集面積に起因した。60Kにおいて1.7×10~5A/cm2のオーダーの暗電流密度をもつ低い逆バイアス(~-200mV)下で,浅いおよび深いエッチ素子の両方に対して,拡散律速暗電流が60Kまで観察された。一般化-再結合(G-R)およびトラップ支援トンネリング(TAT)の徐々に増加する影響が,高い逆バイアスに対して低温で観察された。40K(V_バイアス=-100mV)で3×10~-7A/cm2のオーダーで,深いエッチングしたフォトダイオードで最低の暗電流密度が観測された。検出器アレイを深いエッチング30μmピッチ画素で作製した。比較的低い暗電流密度が,単一ピクセルフォトダイオードに対する低い逆バイアス下での検出器アレイ画素に対して観測されたが,高い逆バイアス下では,TAT暗電流の著しい増加が観測された。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バイアス ,  低温 ,  *光検出器 ,  *量子効率 ,  画素 ,  *エッチング ,  *ヒ化インジウム ,  温度依存性 ,  *暗電流 ,  *波長 ,  フォトダイオード ,  *超格子 ,  トンネル効果 ,  *アンチモン化ガリウム
準シソーラス用語： 逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (9件)： 長波長赤外 ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  光検出器 ,  焦点面アレイ ,  暗電流 ,  量子効率 ,  エッチング