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J-GLOBAL ID：201802228539229114   整理番号：18A0968532

MOCVDにより単結晶AlNとサファイア上に成長させたAlリッチAlGaNにおけるドーピングと補償【JST・京大機械翻訳】

Doping and compensation in Al-rich AlGaN grown on single crystal AlN and sapphire by MOCVD

著者 (14件)： Bryan Isaac (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Bryan Zachary (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Washiyama Shun (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Reddy Pramod (Adroit Materials, Inc., 2054 Kildaire Farm Rd., Cary, North Carolina 27518, USA) ,  Gaddy Benjamin (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Sarkar Biplab (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Breckenridge M. Hayden (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Guo Qiang (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Bobea Milena (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Tweedie James (Adroit Materials, Inc., 2054 Kildaire Farm Rd., Cary, North Carolina 27518, USA) ,  Mita Seiji (Adroit Materials, Inc., 2054 Kildaire Farm Rd., Cary, North Carolina 27518, USA) ,  Irving Douglas (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Collazo Ramon (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA) ,  Sitar Zlatko (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-7919, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 6  ページ： 062102-062102-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlリッチAlGaNにおけるドーピングと補償に及ぼす転位の影響を理解するために,サファイア上の異なるテンプレート上の金属有機化学蒸着(MOCVD)と低転位密度単結晶AlNによって薄膜を成長させた。AlN上に成長させたAlGaNは,低い貫通転位関連の補償と減少した自己補償のために,ドーピング濃度に対して最高の伝導率,キャリア濃度,および移動度を示した。自己補償の開始,すなわち,伝導率における「膝挙動」はシリコンの化学ポテンシャルにのみ依存し,自己補償の源としてSiとのカチオン空孔錯体を強く示すが,自己補償の大きさは転位密度の増加と共に増加し,その結果,AlN基板上に成長させたAlGaNは全ドーピング範囲にわたって高い伝導率を示した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  ケイ素 ,  転位密度 ,  貫通転位 ,  化学ポテンシャル ,  *窒化アルミニウム ,  キャリア密度 ,  カチオン ,  薄膜 ,  *単結晶 ,  *ドーピング ,  *MOCVD ,  *サファイア
準シソーラス用語： 伝導率 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： MOCVD ,  単結晶 ,  AlN ,  サファイア ,  成長 ,  Al ,  AlGaN ,  ドーピング ,  補償