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J-GLOBAL ID：201802228544340411   整理番号：18A2042361

ハイブリッドパワーモジュール応用のためのブリッジ脚における高温SiC CMOSゲートドライバの最初の実証【JST・京大機械翻訳】

First Demonstration of High Temperature SiC CMOS Gate Driver in Bridge Leg for Hybrid Power Module Application

著者 (8件)： Weng Ming Hung (Newcastle University, School of Chemical Engineering and Advanced Materials; Newcastle, United Kingdom, NE1 7RU) ,  Idris Muhammad I. (Newcastle University, School of Chemical Engineering and Advanced Materials; Newcastle, United Kingdom, NE1 7RU) ,  Wright S. (Raytheon UK; United Kingdom, KY7 5PY) ,  Clark David T. (Raytheon UK; United Kingdom, KY7 5PY) ,  Young R.A.R. (Raytheon UK; United Kingdom, KY7 5PY) ,  McIntosh J.R. (Raytheon UK; United Kingdom, KY7 5PY) ,  Gordon D.L. (Raytheon UK; United Kingdom, KY7 5PY) ,  Horsfall Alton B. (Newcastle University, School of Chemical Engineering and Advanced Materials; Newcastle, United Kingdom, NE1 7RU)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 854-857  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSゲート駆動技術と離散パワーデバイスを用いた高温炭化ケイ素パワーモジュールを示した。長期信頼性試験において,電力モジュールを200Vと300°Cで3,000時間エージングした。最初の増加の後,モジュールの立上り時間の変化は27%(63.1ns@3,000hと比較して49.63ns@1000h)であり,一方,落下時間は54.3%(97.1ns@3,000hと比較して62.92ns@1000h)増加した。独特の組立は,300°Cとそれ以上の温度で動作できる受動回路素子を持つCMOS論理の集積回路を可能にする。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 集積回路 ,  信頼性 ,  *CMOS ,  *炭化ケイ素 ,  *高温
準シソーラス用語： 受動素子 ,  立上り時間 ,  長期信頼性 ,  *パワーモジュール ,  パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： CMOS ,  パワーデバイス ,  パワースイッチ ,  信頼性 ,  パワーモジュール ,  ゲートドライバ ,  高温 ,  HITSIC ,  集積回路(IC)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： パワーモジュール ,  応用 ,  ブリッジ ,  脚 ,  SiC ,  CMOS ,  ゲート ,  ドライバ ,  実証