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J-GLOBAL ID：201802228559963677   整理番号：18A0969489

VO_2とニチノールの熱ヒステリシスに基づく導電性熱ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Conductive thermal diode based on the thermal hysteresis of VO₂ and nitinol

著者 (5件)： Ordonez-Miranda Jose (Institut Pprime, CNRS, Universite de Poitiers, ISAE-ENSMA, F-86962 Futuroscope Chasseneuil, France) ,  Hill James M. (School of Information Technology and Mathematical Sciences, University of South Australia, GPO Box 2471, Adelaide SA 5001, Australia) ,  Joulain Karl (Institut Pprime, CNRS, Universite de Poitiers, ISAE-ENSMA, F-86962 Futuroscope Chasseneuil, France) ,  Ezzahri Younes (Institut Pprime, CNRS, Universite de Poitiers, ISAE-ENSMA, F-86962 Futuroscope Chasseneuil, France) ,  Drevillon Jeremie (Institut Pprime, CNRS, Universite de Poitiers, ISAE-ENSMA, F-86962 Futuroscope Chasseneuil, France)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 8  ページ： 085102-085102-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 位相不変の相変化材料間の接合が伝導性熱ダイオードとして効率的に機能することを理論的に実証した。熱流束と最適整流係数の解析式を導出し,その動作がVO_2とニチノールの熱伝導率ヒステリシスにより駆動される接合について解析した。より高い熱伝導率コントラスト,より小さい熱ヒステリシス,およびより速い相転移を有する相変化材料は,熱電流のより高い整流を有する導電性熱ダイオードをもたらすことを示した。VO_2とニチノールに基づく熱ダイオードに対する整流因子はそれぞれ19.7%と18.8%であり,それらの端子間の温度差はそれぞれ369.5~300=69.5Kと388.2~273=115.2Kであった。これらの類似の整流因子はダイオード端子の熱伝導率変化を増加させることにより増強され,したがって,得られた結果は伝導性熱流束の整流を最適化することができる相変化材料の開発を導くために有用である。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱流束 ,  *熱履歴 ,  *ニチノール ,  最適化 ,  コントラスト ,  相転移 ,  *導電性 ,  *ダイオード ,  熱伝導率 ,  *ヒステリシス ,  熱電流 ,  整流
準シソーラス用語： 温度差 ,  相変化材料 ,  *熱ダイオード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： ニチノール ,  熱ヒステリシス ,  導電性 ,  熱ダイオード