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J-GLOBAL ID：201802228636997931   整理番号：18A0724694

非対称成長(1122)GaNテンプレート上の改良半極性緑色InGaN/GaN量子井戸とそれらの相関【JST・京大機械翻訳】

Improved semipolar green InGaN/GaN quantum wells on asymmetrically grown (1122) GaN templates and their correlations

著者 (7件)： Wu Zhengyuan (Engineering Research Center of Advanced Lighting Technology, Ministry of Education, & Academy for Engineering and Technology, Fudan University, Shanghai 200433, China. [e-mail]) ,  Shih Tienmo ,  Li Jinchai ,  Tian Pengfei ,  Liu Ran ,  Kang Junyong ,  Fang Zhilai
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 20  号： 14  ページ： 2053-2059  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非対称島側壁成長(AISG)を用いて,貫通欠陥密度を低減し,半極性GaNテンプレートとInGaN/GaN量子井戸(QW)の表面/界面特性を修正した。半極性InGaN/GaN QWの微細構造と光学特性は半極性成長テンプレートの貫通欠陥密度と表面特性と良く相関することを見出した。AISG無しでは,通常のGaNテンプレート上のInGaN層内の表面波状化,インジウムゆらぎ,および比較的高いインジウム含有量が観察され,高密度貫通欠陥および表面上のより多くのNダングリングボンドを有する特異的な微小ファセットの形成と相関していた。AISGにより,修飾GaNテンプレート上のこれらの半極性InGaN/GaN QWは,貫通欠陥の不在下で均一なインジウム分布を示した。InGaN/GaN QWの光学特性は著しく改善され,この改善はGaNテンプレートの表面改質,貫通欠陥密度の減少,InGaN層内のインジウム分布のより高い均一性に起因する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ダングリングボンド ,  表面性状 ,  *非対称性 ,  *量子井戸 ,  微細構造 ,  欠陥密度 ,  光学的性質 ,  表面改質 ,  ゆらぎ ,  インジウム ,  ファセット
準シソーラス用語： 高密度 ,  *InGaN ,  *半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 非対称 ,  成長 ,  GaN ,  テンプレート ,  半極性 ,  緑色 ,  InGaN ,  量子井戸 ,  相関