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J-GLOBAL ID:201802228666967694   整理番号:18A1876387

単一源蒸発による効率的二重バッファ層Sb_2(Se_xS_1-x)_3薄膜太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Efficient Double Buffer Layer Sb2 (SexS1-x)3 Thin Film Solar Cell Via Single Source Evaporation
著者 (14件):
資料名:
巻:号: 10  ページ: e1800144  発行年: 2018年 
JST資料番号: W3682A  ISSN: 2367-198X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Sb_2(Se_xS_1-x)_3は,その高い安定性,調整可能なバンドギャップ,非毒性元素,および高い消光係数のために,光起電力応用のための非常に有望な光吸収材料であることが証明されている。Sb_2(Se_xS_1-x)_3合金膜堆積のために,著者らは,従来のin situ硫化または二重ソース共蒸発ベースのRTE法の代わりに,単一源ベースの急速熱蒸発(RTE)法を開発した。吸収帯ギャップは,Sb_2Se_3とSb_2S_3源粉末のモル比を簡単に変えることにより,1.1から1.7eVまで正確に調整できた。系統的組成スクリーニングから,FTO/CdS/Sb_2(Se_0.68s_0.32)_3/Auデバイスは,他の吸収体組成ベースのデバイスと比較して,より高い電力変換効率(PCE~4.17%)を示した。薄いETL層を達成し,同時に粗いFTO表面によって導いたピンホールを避けるために,著者らは,Sb_2(Se_0.68s_0.32)_3装置システムにおける初めて二重バッファ層を導入した。それは,4.17%から5.73%まで素子効率をさらに向上させることができた。二重バッファ層ZnO/CdSは,傾斜エネルギーバンドアラインメントを形成し,電荷再結合を抑制し,電子を効率的に抽出するのを助けた。装置は,種々の物理的特性解析によって支持されたより高いJ_scとV_ocを得た。簡単な単一ソース堆積法,効率的な二重バッファ層デバイス構造,および顕著なPCEは,アンチモンカルコゲナイドデバイスの開発を促進することが期待される。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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