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J-GLOBAL ID：201802228714586594   整理番号：18A0705798

強い軸性結晶場は大きな磁気異方性障壁に対する唯一の必須条件である 非-kramersHo(III)対Tb(III)の場合【JST・京大機械翻訳】

Is a strong axial crystal-field the only essential condition for a large magnetic anisotropy barrier? The case of non-Kramers Ho(iii) versus Tb(iii )

著者 (4件)： Gupta Sandeep K. (Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai-400076, India. [e-mail] [e-mail]) ,  Rajeshkumar Thayalan ,  Rajaraman Gopalan ,  Murugavel Ramaswamy
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 47  号： 2  ページ： 357-366  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強い一軸配位子場をもつ単一金属非Kramers Ho(III)錯体は,0.027T s-1の掃引速度で4Kまでのヒステリシス開口をもつ355Kの記録的高エネルギー障壁を示した。一方,同形,より異方的な非Kramers Tb(III)錯体は基底状態間の強い量子トンネリングを示した。ab initio計算は,強い軸配位子と適度に弱い赤道配位子の存在が,Ho(III)錯体の場合に基底擬二重項(m_J=±8)間のQTMをクエンチするのに十分であることを明らかにし,緩和が第一励起状態を経て進行することを見いだした。しかし,赤道場はTb(III)における基底擬二重項の安定化を破壊し,QTMを誘導し,SIM挙動を抑制する。これらの2つの非KramersイオンのSIM特性における二次配位球と水素結合による決定的役割プライドへのさらなる洞察も得た。この組合せ実験と計算アプローチは,強い軸性が,偏った非Kramersイオンに基づく高温SIMsを設計するためのキーを保持するが,赤道配位子場の強度も無視できないことを強調した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 水素結合 ,  錯体 ,  *ホルミウム ,  基底 ,  基底状態 ,  二重項 ,  *磁気異方性 ,  配位子場 ,  *テルビウム ,  *結晶場 ,  ヒステリシス ,  励起状態
準シソーラス用語： 軸配位子 ,  第一原理計算 ,  量子トンネル効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶場 ,  磁気異方性 ,  障壁 ,  必須条件 ,  Tb