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J-GLOBAL ID：201802228774777471   整理番号：18A0968748

磁歪FeSiB非晶質層を持つスピンバルブ巨大磁気抵抗膜と歪センサへの応用【JST・京大機械翻訳】

Spin-valve giant magneto-resistance film with magnetostrictive FeSiB amorphous layer and its application to strain sensors

著者 (5件)： Hashimoto Y. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi, Japan) ,  Yamamoto N. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi, Japan) ,  Kato T. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi, Japan) ,  Oshima D. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi, Japan) ,  Iwata S. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 11  ページ： 113903-113903-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FeSiB/CoFeBフリー層を有する巨大磁気抵抗(GMR)スピンバルブ膜を作製し,GMR素子における印加歪を検出した。FeSiBの磁歪定数は実験的に32ppmであり,CoFeBのそれより1桁大きかった。磁場ゆらぎに対して敏感かつロバストに歪を検出するために,磁場変調技術をGMR素子に適用した。GMR素子の出力電圧は歪に依存し,ゲージ因子K=46は印加DC場強度と方向を調整することにより得られることを確認した。一軸異方性,自由とピン層間の層間結合,歪誘起異方性,Zeemanエネルギーを仮定したマクロスピンモデルに基づくシミュレーションを行い,実験結果の再現に成功した。シミュレーションにより,GMR膜の磁気特性の改善,特に層間結合の低減は,GMR歪センサの出力,すなわちゲージ因子を増加させるのに有効であることを予測した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  *磁歪 ,  *非晶質 ,  磁気的性質 ,  ゲージ ,  ロバスト性 ,  磁場 ,  一軸
準シソーラス用語： 層間結合 ,  出力電圧 ,  磁場揺らぎ ,  印加電圧 ,  *巨大磁気抵抗 ,  *歪センサ ,  *スピンバルブ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁歪 ,  非晶質 ,  スピンバルブ ,  巨大磁気抵抗膜 ,  歪センサ ,  応用