抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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モバイル市場におけるスマートフォン,タブレットおよび他のハンドヘルド装置の継続的な成長は,高度アプリケーションプロセッサ(AP)実装技術のラジカル開発を必要とする。1つの溶液は,薄い再分布層(RDL),減少した誘電体厚さ,狭いトレースライン,およびマイクロビアを使用する,従来の有機基板を高度に集積したファンアウトウエハレベルパッケージング(FOWLP)に変換する。有機基板に用いられる設計スキームは高密度FOWLPにおいて適切に機能しないので,クロストーク雑音干渉を軽減するために,新しいウエハレベル技術に基づいて設計ルールを再定義することが必須である。低電力二重データレート5(LPDDR5)メモリと高帯域幅メモリ(HBM)を採用することにより,将来の製品とトレース幅/スペースとマイクロビアサイズの低減により,データレートと動作周波数を増加させると,クロストーク雑音はより重大な問題になっている。本論文では,ICパッケージ産業における先進設計技術のための周波数領域における種々の試験車両を解析し,クロストーク雑音低減のための最良の最適化設計法を提案した。第一に,クロストーク雑音の影響は,特定の地上ガードトレース分離により減少する。第二に,マイクロストリップによって引き起こされたクロストークは,地上ガードオープンスタブを避けることによって管理することができた。第3に,マイクロストリップにおけるクロストーク雑音は誘電体の厚さを減少させることによって減少する。改善されたクロストーク結果は,先進的なシリコンパッケージ構造から簡単には発生しないが,最適化された設計方式を実装することによっても生じる。本論文における解析的なクロスリンクのない結果は,全体的な設計指針に使用でき,クロストーク効果は,最新のシリコンウエハ統合ファンアウト技術(SWIFT(R))パッケージを含むウエハレベルパッケージのためのプレ製造プロセスにおいて推定できる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
