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J-GLOBAL ID：201802228887238394   整理番号：18A1859737

X線散漫散乱によるイオン照射タングステン中の欠陥クラスタのキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Characterization of defect clusters in ion-irradiated tungsten by X-Ray diffuse scattering

著者 (14件)： Sun Peihao (SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA, 94025, USA) ,  Sun Peihao (Department of Physics, Stanford University, Stanford, CA, 94305, USA) ,  Wang Yongqiang (Materials Science and Technology Division, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87545, USA) ,  Frost Mungo (SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA, 94025, USA) ,  Schonwaelder Christopher (SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA, 94025, USA) ,  Schonwaelder Christopher (Friedrich-Alexander-Universitaet Erlangen-Nuernberg, 91054, Erlangen, Germany) ,  Levitan Abraham L. (SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA, 94025, USA) ,  Mo Mianzhen (SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA, 94025, USA) ,  Chen Zhijiang (SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA, 94025, USA) ,  Hastings Jerome B. (SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA, 94025, USA) ,  Tynan George R. (Center for Energy Research, San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA) ,  Tynan George R. (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, Jacobs School of Engineering, UC, San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA) ,  Glenzer Siegfried H. (SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA, 94025, USA) ,  Heimann Philip (Linac Coherent Light Source, SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA, 94025, USA)
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 510  ページ： 322-330  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン照射タングステン中の欠陥クラスタをX線散漫散乱により特性化した。単結晶タングステン試料を0.5~5MeVの銅イオンにより300Kで照射し,全線量は0.2,0.6,2,及び5の原子当たりの変位(DPA)を持つ。拡散散乱強度の解析により,各試料に対するループ半径の関数として空孔および格子間型転位ループの濃度の決定が可能になった。格子間原子より多くの空格子点が各試料で観察され,空孔ループの半径は照射線量と共に増加した。0.2dpa試料に対して,平均空孔ループ半径は,タングステン原子当たり(10.2±1.5)×10-4の欠陥密度(ループ中の全ての原子を計数)で10.1±3.0Åであり,5D PA試料に対するタングステン原子当たりの密度(8.5±1.0)×10-4で平均ループ半径16.1±3.1Åに増加した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *タングステン ,  格子間原子 ,  *イオン照射 ,  欠陥密度 ,  単結晶 ,  *X線散漫散乱 ,  照射線量 ,  *キャラクタリゼーション ,  空格子点 ,  転位ループ
準シソーラス用語： 照射効果 ,  計数 ,  散乱強度 ,  銅イオン ,  *欠陥クラスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： タングステン ,  照射効果 ,  欠陥クラスタ ,  X線散乱

分類 (2件)： 核融合装置  (BJ02083Z) ,  金属の放射線による構造と物性の変化  (BK16122N)

タイトルに関連する用語 (5件)： X線散漫散乱 ,  イオン照射 ,  タングステン ,  欠陥クラスタ ,  キャラクタリゼーション