Yoshikawa Masahiro について
Faculty of Science and Engineering, Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Toyama Daiki について
Faculty of Science and Engineering, Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Fujita Toshiaki について
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation, 1002-14 Mukohyama, Naka, Ibaraki 311-0102, Japan について
Nagatomo Noriaki について
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation, 1002-14 Mukohyama, Naka, Ibaraki 311-0102, Japan について
Makimoto Toshiki について
Faculty of Science and Engineering, Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Thin Solid Films について
低温 について
価電子バンド について
半導体 について
多結晶 について
正孔 について
カソード について
電気伝導率 について
移動度 について
RFスパッタリング について
窒化物 について
立方晶系 について
結晶粒界 について
温度依存性 について
ホッピング伝導 について
マグネトロンスパッタリング について
立方晶チタンアルミニウムニトリド について
高周波マグネトロンスパッタリング について
陰極アークイオンめっき について
Hall測定 について
可変範囲ホッピング伝導 について
熱活性化移動度 について
粒界 について
ホール濃度 について
その他の無機化合物の薄膜 について
立方晶 について
正孔 について
伝導 について