{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad01_expire_date}}
{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad02_expire_date}}
文献
J-GLOBAL ID:201802228952466326   整理番号:18A0929525

バッファ層のない16.5%を超えるエネルギー変換効率を持つSiドープCu(In,Ga)Se_2光起電素子【JST・京大機械翻訳】

Si-Doped Cu(In,Ga)Se2 Photovoltaic Devices with Energy Conversion Efficiencies Exceeding 16.5% without a Buffer Layer
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: e1702391  発行年: 2018年
JST資料番号: W2778A  ISSN: 1614-6832  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
この通信において,新しい簡単な構造のCu(In,Ga)Se_2(CIGS)太陽電池は,背面と前面の接触層の間に挟まれたCIGS光吸収体層のみからなるが,高い光起電力効率を示す。この達成を実現するために,3段階共蒸着法により成長させたSiドープCIGS膜,化学蒸着により堆積したBドープZnO透明導電性酸化物前面接触層,及び熱光浸漬処理を用いた。CIGS膜のSiドーピングは,膜表面と粒界特性を修飾し,CIGS膜のアルカリ金属分布プロファイルにも影響することが分かった。これらの効果はバッファフリーCIGSデバイス性能の改善に寄与すると期待される。通常のバッファに基づくCIGSデバイス性能を改善するために時々行われる熱光浸漬処理は,バッファフリーCIGS光起電力効率の向上にも効果的であることが分かった。この結果は,熱光浸漬処理の有益な効果の背後にある機構がCIGSバルク問題に由来し,緩衝材料に依存しないことを示唆する。結果として,独立に認証された値を含む16.5%以上の効率が,完全にバッファフリーのCIGS光起電力デバイスから実証された。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る