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J-GLOBAL ID：201802228979274233   整理番号：18A0968233

金属-insulator-insulator-金属構造における共鳴トンネリングの制御された修正【JST・京大機械翻訳】

Controlled modification of resonant tunneling in metal-insulator-insulator-metal structures

著者 (8件)： Mitrovic I. Z. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, United Kingdom) ,  Weerakkody A. D. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, United Kingdom) ,  Sedghi N. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, United Kingdom) ,  Ralph J. F. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, United Kingdom) ,  Hall S. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, United Kingdom) ,  Dhanak V. R. (Department of Physics and Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool L69 7ZF, United Kingdom) ,  Luo Z. (Department of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Beeby S. (Department of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 1  ページ： 012902-012902-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 類似の(Nb/Nb)と異なる(Nb/Ag)金属電極を持つ二層(Nb_2O_5/Al_2O_3)絶縁体配置から成るトンネル障壁整流器に関する包括的実験と理論研究を示した。電子親和性,価電子帯オフセット,および金属仕事関数を,X線光電子分光法,可変角度分光エリプソメトリ,および作製した参照構造に関する電気測定によって確認した。実験的バンドラインアップパラメータを,Nb_2O_5/Al_2O_3量子井戸中の利用可能な束縛状態を予測するための理論モデルに供給し,印加バイアス下でのトンネリング確率と透過率曲線を生成した。サブV領域における強い共鳴の開始は,実験的バンドアラインメントおよび理論モデルと一致して,Nb/Ag電極の仕事関数差によって制御されることが分かった。0.1Vにおける35の優れた低バイアス非対称性と0.25Vにおける5A/Wの応答性が,Nb/4nm Nb_2O_5/1nm Al_2O_3/Ag構造に対して観察され,レクテナデバイスにおける入力交流テラヘルツ信号の90%以上の整流を達成するのに十分であった。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 透過率 ,  X線光電子分光法 ,  ニオブ ,  テラヘルツ波 ,  価電子バンド ,  電気測定 ,  仕事関数 ,  量子井戸 ,  電子親和力 ,  *共鳴トンネル効果 ,  非対称性 ,  バイアス ,  銀 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 理論モデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  超伝導体の物性一般  (BM04021A) ,  発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 金属構造 ,  共鳴トンネリング