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J-GLOBAL ID：201802229036840172   整理番号：18A1036838

電気伝導率と柔軟性を高めるための酸化インジウムすず薄膜のレーザ加工【JST・京大機械翻訳】

Laser processing of indium tin oxide thin film to enhance electrical conductivity and flexibility

著者 (3件)： Park Taesoon (Department of Mechanical Engineering, POSTECH, Pohang 790-784, Republic of Korea) ,  Ha Jeonghong (Department of Mechanical Engineering, POSTECH, Pohang 790-784, Republic of Korea) ,  Kim Dongsik (Department of Mechanical Engineering, POSTECH, Pohang 790-784, Republic of Korea)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 658  ページ： 38-45  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,フレキシブル基板上の非晶質酸化インジウムスズ(ITO)薄膜の電気的および機械的性質を増強するために,KrFエキシマレーザを用いる方法を報告した。ナノ秒レーザパルスによる照射はITOの熱結晶化を誘起し,それによりポリエチレンテレフタレート基板上に堆積した膜の電気伝導率と柔軟性を増加させた。レーザビームの浅い光学(~45nm)と熱侵入(~100nm)は基板を損傷することなくITO層内に熱効果を閉じ込める。レーザ処理はITO膜の結晶性を非晶質から多結晶に変えた。その結果,電気伝導率は20~25%増加した。さらに,処理は,8mmから5mmまでの電気的性質の損失を避けるために,臨界曲げ半径を減少させた。ITO膜の接着強度と透明度はレーザ処理によって著しく影響されなかった。この研究は,レーザ処理が,スパッタされたITO薄膜の結晶性を高めるための効果的なツールであり,柔軟な基板上でのその電気的および機械的性質を示すことを示唆している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非晶質 ,  *薄膜 ,  透明度 ,  パルス ,  多結晶 ,  *レーザ加工 ,  結晶度 ,  *レーザ ,  フレキシブル基板 ,  *電気伝導率 ,  レーザビーム ,  *酸化インジウムスズ ,  ポリエチレンテレフタレート ,  *柔軟性 ,  結晶化

著者キーワード (5件)： 結晶化 ,  フレキシブル基板 ,  酸化インジウムすず ,  レーザ熱処理 ,  薄膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気伝導率 ,  酸化インジウムすず ,  薄膜 ,  レーザ加工