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J-GLOBAL ID：201802229112506728   整理番号：18A0571541

g C_3N_4上の極端に増強された電荷分離と光触媒水素発生のための表面工学【Powered by NICT】

Surface Engineering for Extremely Enhanced Charge Separation and Photocatalytic Hydrogen Evolution on g-C₃N₄

著者 (8件)： Yu Yu (School of Science, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Yan Wei (School of Science, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Wang Xiaofang (School of Science, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Li Pei (School of Science, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Gao Wenyu (School of Science, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Zou Haihan (School of Science, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Wu Songmei (School of Science, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Ding Kejian (School of Science, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201705060  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア分離の強化黒鉛状窒化炭素(g C_3N_4)の光触媒水素発生(PHE)効率を最大化するために重要な問題である。g C_3N_4内の黒鉛炭素環の段階的ドーピングの表面工学により,適切なエネルギーバンド構造と内部電場を確立した。光誘起電子と正孔は,多様な方向に促され,PHE速度の21倍改善をもたらした。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  グラファイト ,  正孔 ,  *電荷分離 ,  *光触媒
準シソーラス用語： 光誘起 ,  内部電場 ,  エネルギー帯 ,  炭素環 ,  窒化炭素 ,  キャリア分離 ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気内蔵場 ,  窒化炭素 ,  密度汎関数理論 ,  段階的ドーピング ,  光触媒水素発生

分類 (2件)： 気体燃料の製造  (YE02030F) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 増強 ,  電荷分離 ,  光触媒 ,  水素発生 ,  表面工学