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J-GLOBAL ID：201802229145016115   整理番号：18A0636826

無容器プロセスを用いたIII-V族化合物半導体単結晶と希土類シリサイド新デバイス創製

著者 (1件)： 永山勝久 (芝浦工大)
資料名： 芝浦工業大学特別教育・研究報告集(CD-ROM)
巻： 2016  ページ： 170-173  発行年： 2017年07月31日 
JST資料番号： L8168B  ISSN： 2185-7326  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： プロセス ,  III-V族化合物半導体 ,  単結晶 ,  希土類 ,  シリサイド ,  創製