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J-GLOBAL ID：201802229227872017   整理番号：18A0446812

「0変化」32nm SOI CMOSにおけるOバンドフォトニックトランシーバのモノリシック集積化【Powered by NICT】

Monolithic integration of O-band photonic transceivers in a “zero-change” 32nm SOI CMOS

著者 (6件)： Moazeni S. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, USA) ,  Atabaki A. (Research Laboratory of Electronics, Massachusetts Institute of Technology, MA, USA) ,  Cheian D. (Research Laboratory of Electronics, Massachusetts Institute of Technology, MA, USA) ,  Lin S. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, USA) ,  Ram R. J. (Research Laboratory of Electronics, Massachusetts Institute of Technology, MA, USA) ,  Stojanovic V. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 24.3.1-24.3.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 未改質32nm SOI CMOSプロセスにおけるモノリスフォトニックプラットフォームを実証した。このプラットフォームは,受動的および高速活性フォトニック部品とモノリシックに集積した最速トランジスタを提供した。アナログフロントエンド回路を用いた共振ベース変調器と検出器を用いた12Gb/s Oバンド(1260-1360nm)光トランシーバを実証した。プラットフォームは,高性能と低電力論理チップを用いた高帯域幅とエネルギー効率の良いフォトニックI/Oの統合を扱うために必要な電子とフォトニック性能,特に高性能計算(HPC)アプリケーションを提供する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 検出器 ,  高速度 ,  共振 ,  応用プログラム ,  トランジスタ ,  エネルギー効率 ,  変調器 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 高性能コンピューティング ,  低電力化 ,  光トランシーバ ,  アナログフロントエンド ,  *モノリシック集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 素粒子・核物理実験計測用エレクトロニクス  (BE01020Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： SOI ,  CMOS ,  モノリシック集積化