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J-GLOBAL ID：201802229461460902   整理番号：18A2106488

c-erbB-2検出のためのAlGaN/AlN/GaN BiO-HEMTセンサの解析モデリングとシミュレーションに基づく研究【JST・京大機械翻訳】

Analytical Modeling and Simulation-Based Investigation of AlGaN/AlN/GaN Bio-HEMT Sensor for C-erbB-2 Detection

著者 (3件)： Varghese Arathy (Department of Electronics and Communication Engineering, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur, India) ,  Periasamy Chinnamuthan (Department of Electronics and Communication Engineering, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur, India) ,  Bhargava Lava (Department of Electronics and Communication Engineering, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur, India)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 18  号： 23  ページ： 9595-9603  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HEMTセンサの解像度は,血液の代わりに唾液のような体液から抗原の正確な検出を可能にするために改善される必要がある。感度と長期安定性を強化するために,装置の系統的な研究は,解析モデルの助けなしで不可能になるようになる。この研究を通して提示されたのは,そのセンシング性能に焦点を合わせて,高周波AlGaN/AlN/GaN HEMTのために開発された数学モデルである。c-erbB-2蛋白質の検出のためのバイオトランジスタとしてのHEMT応用,乳癌バイオマーカーは注目されており,感度解析が行われている。開発したモデルを比較し,Silvaco ATLAS TCADを用いたシミュレーションにより検証した。Poisson方程式の厳密な誘導と展開により,素子の解析モデルを開発した。c-erbB-2における電荷当量の数値モデルも開発し,唾液及び血清中のc-erbB-2の量を変化させるためのデバイスセンシングを解析した。AlN中間層とエピタキシャル設計の改良を組み込んだ素子において,既存のBio-HEMTセンサよりも増強されたセンシングポテンシャルが観測された。感度に及ぼすゲート長の影響も解析し,ゲート長さ1μmと5μmのデバイスは,それぞれ2.5mA/mgL(-1)と0.72mA/mgL(-1)の感度を得た。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  *HEMT ,  *センサ ,  *モデリング ,  血清 ,  感度解析 ,  *窒化アルミニウム ,  解析モデル ,  分解能 ,  エピタクシー ,  抗原
準シソーラス用語： ゲート長 ,  中間層 ,  数値モデル ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (9件)： ErbB-2 ,  AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  HEMT ,  解析 ,  モデリング ,  シミュレーション ,  研究